bas16, baw56, bav70, bav99, BAV199 bas16 , baw56 , bav70 , bav99 , BAV199 smd small signal diodes smd kleinsignal-dioden i fav = 215 ma v f1 < 715 mv t jmax = 150c v rrm = 85 v i fsm = 2 a t rr1 < 4 ns version 2018-02-06 sot-23 (to-236) dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, (high-speed) switching, rectifying commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, (schnelles) schalten, gleichrichten standardausfhrung 1 ) features BAV199: extremely low leakage bas16, baw56, bav99, bav70: very high switching speed compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten BAV199: extrem niedriger sperrstrom bas16, baw56, bav99, bav70: sehr schnelles schalten konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 single diode bas16 1 = a 2 = n. c. 3 = c type code 5d common cathode bav70 1 = a1 2 = a2 3 = c1/c2 type code a 4 common anode baw56 1 = c1 2 = c2 3 = a1/a2 type code a1 series connection bav99 | BAV199 1 = a1 2 = c2 3 = c1/a2 type code a7 | px maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) power dissipation (per device) ? verlustleistung (pro bauteil) p tot 350 mw 3 ) maximum average forward current dauergrenzstrom single diode loaded C eine diode belastet both diodes loaded C beide dioden belastet i fav 215 ma 3 ) 125 ma 3 ) repetitive peak forward current C periodischer spitzenstrom i frm 300 ma 3 ) non repetitive peak forward surge current sto?strom-grenzwert t p 1 s t p 1 ms t p 1 s i fsm 0.5 a 1 a 2 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung bas16, baw56, bav99, BAV199 bav70 v rrm 85 v 100 v reverse voltage C sperrspannung dc v r 75 v junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c and per diode, unless otherwise specified C t a = 25c und pro diode, wenn nicht anders angegeben 3 mounted on 3 mm 2 copper pads per terminal C montage auf 3 mm 2 kupferbelag (l?tpads) je anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2 . 4 1 . 3 0 . 1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 0.1 1 2 3 type code 1.9 0.1 -0.05 -0.2 0 . 2 2 1 3 2 3 1 2 1 3 2 1 3
bas16, baw56, bav70, bav99, BAV199 characteristics kennwerte bas16, baw56 bav99 bav70 BAV199 forward voltage durchlass-spannung 1 ) t j = 25c i f = 1 ma 10 ma 50 ma 150 ma v f < 715 mv < 855 mv < 1.0 v < 1.25 v < 715 mv < 855 mv < 1.0 v < 1.25 v < 900 mv < 1.0 v < 1.1 v < 1.25 v leakage current sperrstrom 1 ) t j = 25c v r = 20 v 25 v 75 v i r ? < 30 na < 1.0 a < 25 na ? < 2.5 a ? ? < 5 na t j = 150c v r = 25 v 75 v i r < 30 a < 50 a < 30 a < 50 a ? < 80 na junction capacitance sperrschichtkapazit?t v r = 0 v, f = 1 mhz c t typ. 2 pf reverse recovery time sperrverzug i f = 10 ma ber/through i r = 10 ma bis/to i r = 1 ma t rr < 4 ns < 4 ns < 3000 ns thermal resistance junction to ambient w?rme widerstand sperrschicht C umgebung r tha < 400 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 mounted on 3 mm 2 copper pads per terminal montage auf 3 mm 2 kupferbelag (l?tpads) je anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) v f [v] 1.4 1.0 0.8 0.6 0.4 0 [a] i f 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 t = 25c j t = 125c j [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) 2 verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 2
|
